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身为“过来人”,洛川清楚的知道,14~18年,是国内半导体产业,追赶国际先进水平绝佳窗口期!
技术层面。
当前euv技术,尚未完全成熟,全球半导体,仍处于“duv向euv过渡”的阶段。
若中芯能坚持研发先进制程,在极光和星光的辅助下,完全有机会在1516年前后,掌握“类finfet”技术,稳住与三星、台积电的技术代差。
虽说,由于euv光刻机的缺失,在14nm以下的制程,仍不可避免会被拉开差距。
但那至少也是四五年以后的事情了。
届时,中芯应该也已积累了,足够的“duv多重曝光”关键技术。
如高精度对准系统、高k金属栅极沉积工艺等等。
只要技术
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